EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 300 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 35.56 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
页面大小 | 32 words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 4.445 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | NMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | NO |
宽度 | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
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