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AM2864BE-300DEB

产品描述EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小345KB,共11页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM2864BE-300DEB概述

EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

AM2864BE-300DEB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间300 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.56 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小32 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度4.445 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位NO
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

 
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