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PQ2864H-300

产品描述EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, PDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小205KB,共6页
制造商LSC/CSI
官网地址https://lsicsi.com
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PQ2864H-300概述

EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, PDIP28

PQ2864H-300规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LSC/CSI
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间300 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
最长写入周期时间 (tWC)2 ms
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