NDB7061/S62Z,NDB7061/S62Z pdf中文资料,NDB7061/S62Z引脚图,NDB7061/S62Z电路-Datasheet-电子工程世界

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NDB7061/S62Z: 产品描述64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小159KB，共6页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

NDB7061/S62Z概述

64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

NDB7061/S62Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	64 A
最大漏源导通电阻	0.016 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	190 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	230 ns
最大开启时间（吨）	230 ns

NDB7061/S62Z相似产品对比

	NDB7061/S62Z	NDB7061/L99Z	NDB7061	NDB7061/L86Z	NDP7061/J69Z
描述	64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	64A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	64 A	64 A	64 A	64 A	64 A
最大漏源导通电阻	0.016 Ω	0.016 Ω	0.016 Ω	0.016 Ω	0.016 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	130 W	130 W	130 W	130 W	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	190 A	190 A	190 A	190 A	190 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	230 ns	230 ns	230 ns	230 ns	230 ns
最大开启时间（吨）	230 ns	230 ns	230 ns	230 ns	230 ns
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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