1 nV/√Hz Low Noise Instrumentation Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | R-8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | Analog Devices AD8429ARZ Instrumentation Amplifier, 150μV Offset 15MHz GBW, 134dB, Rail-Rail, 8-pin SOIC |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.3 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 15 MHz |
| 最小共模抑制比 | 80 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.1 µA |
| 最大输入失调电压 | 150 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 22 V/us |
| 最大压摆率 | 9 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 最大电压增益 | 10000 |
| 最小电压增益 | 1 |
| 标称电压增益 | 10 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| AD8429ARZ | AD8429BRZ-R7 | AD8429BRZ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 1 nV/√Hz Low Noise Instrumentation Amplifier | 1 nV/√Hz Low Noise Instrumentation Amplifier | 1 nV/√Hz Low Noise Instrumentation Amplifier |
| Brand Name | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| 制造商包装代码 | R-8 | R-8 | R-8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.3 µA | 0.15 µA | 0.15 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 15 MHz | 15 MHz | 15 MHz |
| 最小共模抑制比 | 80 dB | 90 dB | 90 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.1 µA | 0.03 µA | 0.03 µA |
| 最大输入失调电压 | 150 µV | 50 µV | 50 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 22 V/us | 22 V/us | 22 V/us |
| 最大压摆率 | 9 mA | 9 mA | 9 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 最大电压增益 | 10000 | 10000 | 10000 |
| 最小电压增益 | 1 | 1 | 1 |
| 标称电压增益 | 10 | 10 | 10 |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
| Samacsys Description | Analog Devices AD8429ARZ Instrumentation Amplifier, 150μV Offset 15MHz GBW, 134dB, Rail-Rail, 8-pin SOIC | - | Analog Devices AD8429BRZ Instrumentation Amplifier, 50μV Offset 15MHz GBW, CMMR 140dB, 8-Pin SOIC |
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