P we MO F T
o r SE
F9 0 P
3 W6 C
60 9
0 V3 A
特 長
煙高耐圧
煙高速スイッチング
煙½オン抵抗
■外観図
O T IE
U LN
nt
：
U i mm
５.0
④
６.0
１
P ca e
a k g
：MT
-P
O3
ッ
（例）
ロ ト記号
Date code
管理番号
（例）
Control No.
0000
39W60CP
２ ０
０.
F aue
e tr
煙H
g o a e
i
hV l g
t
煙F
s S i h g
a t wt i
cn
煙L
wR
N
o
O
5.45
①
②
③
5.45
２ ０
１.
品名
Type No.
①: G
②:D
③: S
④:D
b
捺印表示については捺
外½図については新電元We サイトをご参照下さい。
印仕様をご確認下さい。
F rd ti fteo t edme s n ,rfrt u e s e sfrte
o easo h ul
l
i i n i s ee oo rw b i .A o h
n
o
t
ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n.
n
f o
c
n
a
o
mak g rfrotes e i ai Mak g Tr n l o n ci "
■定格表
R TN S
A IG
●絶対最大定格
項
目
Im
t
e
A s l eMa i m R t g
（
指定のない場合
bo t
u
x
mu ai s
n
記号
S mb l
y o
Tt
sg
Th
c
V
S
DS
V
S
GS
I
D
I
P
D
I
S
P
T
T R
O
（推奨値 0 N m）
：.・
5
(e o
R c mme d dtru : .N m)
n e oq e 05
・
パルス幅 1μsd t = /0
0 , uy 110
P l i h1
µ
, uy 11 0
u ewd 0 s d t= /0
s
t
T ＝2℃）
c 5
規格値
R tg
ai s
n
－5½10
5 5
10
5
60
0
±3
0
3
9
17
1
3
9
15
2
0
.
8
A
W
Nm
・
単½
Ui
n
t
℃
V
条 件
C ni n
o dt s
i
o
保存温度
Soa eTmp rtr
trg e eaue
チャネル温度
C a n le eaue
h n e Tmp rtr
ドレイン ½ース間電圧
・
D a - o reV l g
ri S uc o a e
n
t
ゲート ½ース間電圧
・
D a - o reV l g
ri S uc o a e
n
t
ドレイン電流
（直流）
C ni o s ri urn (C
o t u u Da
n
nC r tD )
e
ドレイン電流
（ピーク）
C ni o s ri urn (e k
o t u u Da
n
nC r tP a )
e
½ース電流
（直流）
C ni o s o reC r n (C
o t u u S uc ur tD )
n
e
全損失
T tl o e Dsi t n
oa P w r i p i
s ao
締め付けトルク
Mo ni oq e
u t gT ru
n
●電気的 熱的特性
・
項
目
Im
t
e
Ee tc l h rcei i
（
指定のない場合
l r a C aa tr t s
ci
sc
記号
S mb l
y o
V
R DS
I＝1
mA,
G
＝0
V
S
V
（B ） S D
I
S
DS
I
S
GS
gs
f
V
H
T
V
D
S
θj
c
Q
g
Cs
i
s
C s V
S
0V V
S
＝0 ,＝1 z
rs
V f MH
D
＝10 ,
G
Cs
os
t o）
d n
（
V
S
0V V
S
＝0
V
D
＝60 ,
G
V
S
0 ,
D
＝0
V
G
＝±3V V
S
I＝1. V
S
＝1V
9 A,
D
5
0
D
I＝1
mA,
DS
＝1V
V
0
D
I 9 A,
G
＝0
＝1. V
S
V
5
S
接合部 ケース間
・
J n t nt a e
u ci oc s
o
T ＝2℃）
c 5
規格値
R t g
ai s
n
MI T P MAX
N
Y
60
0
─
─
1
6
─
2
.
5
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
3
2
3
.
0
─
─
8
3
40
50
3
20
2
6
4
10
0
26
9
8
8
─
1
0
±0
.
1
─
3
.
5
1
.
5
1
─
─
─
─
─
─
─
─
n
s
p
F
単½
Ui
n
t
V
μA
S
Ω
V
℃/
W
n
C
条 件
C ni n
o dt s
i
o
ドレイン ½ース間降伏電圧
・
D a - o reBe k o nV l g
ri S uc ra d w o a e
n
t
ドレイン遮断電流
Z r aeV l g ri urn
eoG t o a eD a
t
nC r t
e
ゲート漏れ電流
G t- o reL a a eC r n
aeS uc e k g ur t
e
順伝達コンダクタンス
F r adT n c n u tn e
ow r r s o d ca c
a
ドレイン ½ース間オン抵抗
・
Sai ri S uc nsaeR s tn e
tt a - o reO -tt e i a c
cD n
s
ゲートしきい値電圧
G t he h l o a e
aeT rs o
dV l g
t
½ース ドレイン間ダイオード順電圧
・
S uc - ri i eF r a eV l g
o reD a
nDo
d ow d o a e
t
熱抵抗
T ema R s tn e
h r l eia c
s
ゲート全電荷量
T tl aeC ag
oa G t h re
入力容量
I u C p cac
n t a aine
p
t
帰還容量
R v reT n fr a a i n e
e es r s C p c a c
a e
t
出力容量
O tu C p c a c
up t a a i n e
t
ターンオン遅延時間
T r-nd l t
uno e y i
a me
上昇時間
Rs i
i me
et
ターンオフ遅延時間
T r-fd l t
unof e y i
a me
下降時間
F li
at
l me
R
S ON
I＝1. V
S
＝1V
9 A,
G
5
0
（D ）
D
06 07
.8 .5
0
0
V
S
0 ,
D
＝3A,
DD
＝40
9 V
0V
G
＝1V I
I＝1. V
D
＝10 ,
L
＝7 9
9 A,
D
5
5V R
.Ω
6
D
0 ,
G（
V
t of V
S ＋）
＝1V V
S －）
＝0
d f
（ ）
G（
t
f
t
r
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、 .
0〔℃/ を御½用下さい。
6
W〕
½し、
上記印加電流、
電圧は安全動½領域内での御½用を前提とします。
T e u ci e eaues a uae rm te ae e eauetemars tn e a e ss . W. s i h S f O eaigAra o ip t urn a dv l g .
h Jn t nT mp rtr icl l df
o
c t o h cs tmp rtr,h r lei a c v l ue 0 ℃/ U ente ae p rt
s
u
6
n
e frn u c re t n o a e
t
S P 0 1 2
）
（
MO -
〈
2 1 .
〉
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h
op
s
F9 0 P
3 W6 C
■特性図
C A A T RS I DA R MS
H R C E ITC IG A
出力特性
伝達特性
ドレイン ½ース間オン抵抗─
・
ドレイン電流
Typical Output Characteristics
７
８
７
０
６
０
Transfer Characteristics
Tc=25℃
TYP
７
８
７
０
６
０
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
５
℃
１０
V
ＧS
=１
Ｖ
０
V
ＧS
=８
Ｖ
V
ＧS
=
６
ＧS
Ｖ
Static Drain-Source On-state Resistance R
DS(ON)
〔Ω〕
Ｔ =−
５
½ ５
℃
２℃
５
１
０
０℃
０
５
.
V
GS
＝ ０V
１
Tc＝ ５℃
２
TYP
５
０
４
０
３
０
２
０
１
０
０
０
Drain Current I
D
〔A〕
Drain Current I
D
〔A〕
０
２
.
５
０
４
０
３
０
２
０
１
０
V
DS
=20V
TYP
Pulse measurement
５
１
０
１
５
２
０
０
１
.
０５
．
０
V
ＧS
=５
Ｖ
Pulse measurement
６
８
１
０
０２
．
０
Pulse measurement
０
．
５
V
ＧS
=４
ＧS
Ｖ
２
４
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
０
０
Gate Source Voltage V
GS
〔V〕
０１
．
０
０ ０
． ．
１ ２
Drain Current I
D
〔A〕
１
２
５
１ ２
０ ０
５ ７
０ ８
ドレイン ½ース間オン抵抗─ケース温度
・
ゲー し
ト きい値電圧─ケース温度
安全動½領域
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-static Resistance R
DS（ON）
〔Ω〕
１
０
．
５
V
GS
＝10V
Pulse test
TYP
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
Safe Operating Area
１０
５
１７
１
Gate Threshold Voltage Ｖ
TH
〔Ｖ〕
V
DS
＝ ０V
１
I
D
=1mA
TYP
０
１０
３
９
７
８
４
Drain Current I
D
〔A〕
10μs
１
０
０
．
２
０
．
１
I
D
=1
９.
５A
=1９.
３
R
DS on
）
（
on）
Restricted space
100μs
200μs
０５
．
０
２
１
1ms
10ms
DC
１
０
１０
０
６０
０
０２
．
０
Pulse measurement
−５
５
１
Pulse measurement
０
−５
５
０１
．
０
Case Ｔemperature Tc
〔℃〕
０
５
０
１０
０
１０
５
Case Temperature Tc
〔℃〕
０
５
０
１０
０
１０
５
０
．
１
１
Tc＝ ５℃
２
Single pulse
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率 ─ケース温度
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
１
０
Capacitance Characteristics
１００
０００
１００
００
１０
００
１０
０
１
０
１
０.１
Ｃo ½
½
Power Derating - Case Temperature
１０
０
Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕
Ｃ½
½½
Power Derating
〔%〕
４０
０
f＝
１MHz
Tc＝ ５℃
２
TYP
５０
０
６０
０
１
８
０
６
０
０.１
Ｃr ½
½
４
０
０.０
１
２
０
０.０１
-５
０
１
０
１
-４
０
１
-３
０
Time t
〔s〕
１
-２
０
１
-１
０
１
０
０
１
１
０
０
１０
０
Drain Source Voltage V
DS
〔Ｖ〕
２０
０
３０
０
０
０
２
５
Case Temperature Tc〔℃〕
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
ゲー
トチャージ特性
Gate Charge Characteristics
５０
０
I
D
=３ A
９
TYP
２
０
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
４０
０
３０
０
V
DD
=４ ０
=４ Ｖ
０
２０
０Ｖ
１０
０Ｖ
V
ＧS
ＧS
１
５
１
０
２０
０
５
１０
０
０
０
３
０
Total Gate Charge Qg
〔nC〕
６
０
８
０
１０
２
０
１０
５
Gate Source Voltage V
GS
〔V〕
V
DS
＊ Sn wa e 5H で測定しています。
ie v は 0 z
＊
5 H s ew v s s dfr a ue ns
0 z i a eiu e o me s rme t.
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S P 0 1 2
）
（
MO -
〈
2 1 .
〉
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている½社½品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その½品の故障や誤動½が直接生½や人½に½響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装½にご½用の場合には必ず事前に½社へご連絡の上、確認を得て下さい。 ½社の
½品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工½機器、パー½ナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防½/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生½維持のための装½、システム
等
3. ½社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動½防止設計等の手段により結果として人身事故、火½事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、½品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。½品のご購入に際しましては事前に½社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の½用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、½社は一切その責任を負
いません。
6. 本資料によって第三者または½社の特許権その他権利の実½に対する保証または実½権の許諾を行うもの
ではありません。
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法に基づく日本½政府の輸出許可が必要です。
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Notes
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measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics,
machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers
are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and
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