IDT72V51456L6BB8,IDT72V51456L6BB8 pdf中文资料,IDT72V51456L6BB8引脚图,IDT72V51456L6BB8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT72V51456L6BB8: 产品描述FIFO, 64KX36, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, BGA-256; 产品类别存储存储; 文件大小543KB，共57页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT72V51456L6BB8概述

FIFO, 64KX36, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, BGA-256

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA256,16X16,40
针数	256
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	3.7 ns
其他特性	ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT AND 18-BIT
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
周期时间	6 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e0
长度	17 mm
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	256
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX36
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA256,16X16,40
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.5 mm
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	17 mm

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