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IDT70908S35JG

产品描述Multi-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
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文件大小70KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT70908S35JG概述

Multi-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

IDT70908S35JG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ,
针数84
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e3
长度29.2862 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.2862 mm
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