IMS1203A-25M,IMS1203A-25M pdf中文资料,IMS1203A-25M引脚图,IMS1203A-25M电路-Datasheet-电子工程世界

IMS1203A-25M: 产品描述Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDFP18,; 产品类别存储存储; 文件大小275KB，共9页; 制造商Inmos Corporation

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IMS1203A-25M概述

Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDFP18,

IMS1203A-25M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Inmos Corporation
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDFP-F18
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	18
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DFP
封装等效代码	FL18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

IMS1203A-25M相似产品对比

	IMS1203A-25M	IMS1203S-25M	IMS1203S-45M	IMS1203S-35M
描述	Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDFP18,	Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDIP18,	Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CDIP18,	Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CDIP18,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Inmos Corporation	Inmos Corporation	Inmos Corporation	Inmos Corporation
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	25 ns	25 ns	45 ns	35 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDFP-F18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DFP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	FL18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1

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