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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MJE15033
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MJE15033

产品描述8 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小83KB，共3页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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MJE15033概述

8 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

8 A, 250 V, PNP, 硅, 功率晶体管, TO-220AB

MJE15033规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流8 A
最大集电极发射极电压250 V
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大环境功耗2 W
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数10
额定交叉频率30 MHz

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
MJE15032 NPN
MJE15033 PNP
TO - 220
Plastic Package
High - Frequency Drivers in Audio Amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector- Base Voltage
Collector- Emitter Voltage
Emitter- Base Voltage
Collector Current Continuous
Peak
Base Current
Power Dissipation T
C
=25ºC
Derate Above 25ºC
Power Dissipation T
A
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating & Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance
Thermal Ambient
Junction to Case
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
j, Tstg
VALUE
250
250
5
8
16
2
50
0.4
2
0.016
- 65 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
W/ºC
W
W/ºC
ºC
R
th (j-a)
R
th (j-c)
62.5
2.5
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25º C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector- Emitter Sustaing Voltage
Collector Cut Off Current
Emitter Cut Off Current
DC Current Gain
SYMBOL TEST CONDITION
V
CEO(sus)*
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
I
C
=10mA, I
B
=0
V
CB
=150V, I
E
=0
V
BE
=5V, I
C
=0
I
C
=0.5A, V
CE
=5V
I
C
=1.0A, V
CE
=5V
I
C
=2A, V
CE
=5V
I
C
=1A, I
B
=0.1A
I
C
=1.0A, V
CE
=5V
MIN
250
-
-
50
50
10
-
-
TYP
-
-
-
-
-
-
-
-
MAX
-
10
10
-
-
-
0.5
1.0
UNIT
V
µA
µA
c
d
e
f
g
Base Emitter on Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat) *
V
BE(on) *
V
V
Dynamic Characteristics
Current Gain - Bandwidth Product
f
T **
`
I
C
=500mA, V
CE
=10V
f
test
=1MHz
30
-
-
MHz
* Pulse Test: Pulse Width <
300µs,
Duty Cycle <2 %
300µ
** f
T
= Ih
fe
l. f
test
.
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3

MJE15033相似产品对比

MJE15033 MJE15032 MJE15032NPN MJE15033PNP
描述 8 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB 8 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB 8 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB 8 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
端子数量 3 3 3 3
晶体管极性 PNP PNP PNP PNP
最大集电极电流 8 A 8 A 8 A 8 A
最大集电极发射极电压 250 V 250 V 250 V 250 V
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大环境功耗 2 W 2 W 2 W 2 W
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数 10 10 10 10
额定交叉频率 30 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz

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