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70V9089S9PFGI

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.4 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
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文件大小208KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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70V9089S9PFGI概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.4 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100

70V9089S9PFGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP, QFP100,.63SQ,20
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间9 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)66.7 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
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