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2101F: 产品描述Standard SRAM, 256X4, 1000ns, MOS, CDIP22; 产品类别存储存储; 文件大小152KB，共3页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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2101F概述

Standard SRAM, 256X4, 1000ns, MOS, CDIP22

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	1000 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	22
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	0.07 mA
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

	2101F	2101-2F
描述	Standard SRAM, 256X4, 1000ns, MOS, CDIP22	Standard SRAM, 256X4, 650ns, MOS, CDIP22
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP22,.4	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknown	unknow
最长访问时间	1000 ns	650 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T22	R-XDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	1024 bit	1024 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4
端子数量	22	22
字数	256 words	256 words
字数代码	256	256
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	256X4	256X4
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.4	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.07 mA	0.07 mA
表面贴装	NO	NO
技术	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL

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