FIFO, 16KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | CERAMIC, LCC-32 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 25 ns |
其他特性 | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK) | 28.5 MHz |
周期时间 | 35 ns |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 147456 bit |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 16KX9 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 2.286 mm |
最大待机电流 | 0.002 A |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 11.43 mm |
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