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WS128K32NV-35H1C: 产品描述SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66; 产品类别存储存储; 文件大小462KB，共8页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WS128K32NV-35H1C概述

SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
包装说明	PGA, PGA66,11X11
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	35 ns
其他特性	ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P66
长度	27.3 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	66
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.6 mm
最大待机电流	0.032 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
宽度	27.3 mm

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