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HC6364/2XSHBC

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.630 INCH, CERAMIC, FP-36
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文件大小690KB,共16页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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HC6364/2XSHBC概述

Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.630 INCH, CERAMIC, FP-36

HC6364/2XSHBC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Honeywell
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL36,.6,25
针数36
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CDFP-F36
JESD-609代码e0
长度16.002 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量36
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL36,.6,25
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class S (Modified)
座面最大高度3.5052 mm
最大待机电流0.0003 A
最小待机电流2.5 V
最大压摆率0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量1M Rad(Si) V
宽度16.002 mm
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