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MJD117

产品描述2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小80KB,共6页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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MJD117概述

2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252

2 A, 100 V, PNP, 硅, 功率晶体管, TO-252

MJD117规格参数

参数名称属性值
端子数量2
晶体管极性PNP
最大集电极电流2 A
最大集电极发射极电压100 V
加工封装描述DPAK-3
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数200

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS
MJD112 NPN
MJD117 PNP
DPAK (TO-252)
Plastic Package
Designed for General Purpose Power and Switching Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Peak
Base Current
Total Power Dissipation T
c
=25ºC
Derate Above 25ºC
Total Power Dissipation T
a
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Junction to Case
Junction to Ambient in free air
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
j,
T
stg
VALUE
100
100
5
2
4
50
20
0.16
1.75
0.014
- 65 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
mA
W
W/ºC
W
W/ºC
ºC
R
th (j-c)
*R
th (j-a)
6.25
71.4
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
c
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
**V
CEO(sus)
I
C
=30mA, I
B
=0
Collector Emitter Sustaining Voltage
I
CEO
V
CE
=50V, I
B
=0
Collector Cut Off Current
I
CBO
V
CB
=100V, I
E
=0
Collector Cut Off Current
V
CB
=80V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
I
EBO
Emitter Cut Off Current
V
CE
=80V, V
BE (off)
=1.5V
I
CEX
Collector Cut Off Current
V
CE
=80V, V
BE (off)
=1.5V,
T
c
=125ºC
DC Current Gain
h
FE
I
C
=0.5A, V
CE
=3V
I
C
=2A, V
CE
=3V
I
C
=4A, V
CE
=3V
MIN
100
TYP MAX
20
20
10
2.0
10
500
12000
UNIT
V
µA
µA
µA
mA
µA
µA
500
1000
200
*These rating are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended
**Pulse Test:- Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%
µ
MJD112_117 Rev220904E
Continental Device India Limited
Data Sheet
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MJD117相似产品对比

MJD117 MJD112NPN MJD117PNP MJD112
描述 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
端子数量 2 2 2 2
晶体管极性 PNP PNP PNP PNP
最大集电极电流 2 A 2 A 2 A 2 A
最大集电极发射极电压 100 V 100 V 100 V 100 V
加工封装描述 DPAK-3 DPAK-3 DPAK-3 DPAK-3
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 TIN TIN TIN TIN
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数 200 200 200 200
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