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GBU810

产品描述8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小287KB,共3页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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GBU810概述

8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

8 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU810规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压1000 V
最大平均输入电流8 A
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料, GBU, 4 PIN
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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描述 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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