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MMBTA06-7

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小246KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
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MMBTA06-7概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBTA06-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
常用的浪涌抑制器件
在电子线路中通常采用浪涌抑制器件来对电路进行保护,常见的几种浪涌抑制器件有:气体放电管GDT、金属氧化物压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS和半导体放电管TSS。为大家总结了这几种常见浪涌抑制器件的优劣势对比,方便大家选择合适浪涌抑制保护器件:    压敏电阻(MOV)是以氧化锌(ZnO) 为主要成分的非线性电阻元件,该元件浪涌电流耐量及非线性系数非常大,在阀值电压以下时,电阻非常高,几乎没有电流...
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