N25Q256A83E1240,N25Q256A83E1240 pdf中文资料,N25Q256A83E1240引脚图,N25Q256A83E1240电路-Datasheet-电子工程世界

N25Q256A83E1240: 产品描述32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8; 产品类别存储; 文件大小1MB，共90页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

N25Q256A83E1240概述

32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8

32M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, PDSO8

N25Q256A83E1240规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	8
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大时钟频率	108 MHz
加工封装描述	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	NO LEAD
端子间距	1.27 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	32M X 8
存储密度	2.68E8 deg
操作模式	SYNCHRONOUS
位数	3.36E7 words
位数	32M
内存IC类型	FLASH 3V PROM
串行并行	SERIAL

N25Q256A83E1240相似产品对比

	N25Q256A83E1240	N25Q256A13E1240	N25Q256A13EF8A0	N25Q256A13ESFH0	N25Q256A83ESF40	N25Q256A13E12A0	N25Q256A13EF840F	N25Q256A13ESF40	N25Q256A13ESFA0
描述	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8	32M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
额定供电电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大时钟频率	108 MHz	108 MHz	108 MHz	108 MHz	108 MHz	108 MHz	108 MHz	108 MHz	108 MHz
加工封装描述	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8	8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
中国RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子间距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	32M X 8	32M X 8	32M X 8	32M X 8	32M X 8	32M X 8	32M X 8	32M X 8	32M X 8
存储密度	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg
操作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
内存IC类型	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM	FLASH 3V PROM
串行并行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
位数	32M	32M	32M	32M	32M	32M	32M	32M	32M

推荐资源

泰克福利来袭：不会再对高昂电源测试，束手无策！: [align=left][font=微软雅黑][size=3][color=#48d1cc]电源测试中经常困扰你的是什么？[/color][/size][/font][/align][align=left][font=微软雅黑][size=3]开关损耗？电源谐波？环路响应……[/size][/font][/align][align=left][font=微软雅黑][size=3][/size][/...; eric_wang 电源技术

请问ldo芯片上的TAB脚是起什么作用的，datasheet上也没有写: 如题，多谢...; mooddog 嵌入式系统

提高焊接质量的方法: 虚焊等焊接质量问题，往往是电子制作失败的原因之一。努力提高焊接质量对于初学者是十分重要的。如何提高焊接质量呢？除了苦练基本功之外，还应注意以下几个环节：　　（1）印制电路板的处理：印制电路板制好后，首先应清除铜箔面氧化层，可用擦字橡皮擦，这样不易损伤铜箔（氧化严重的也可用细砂纸轻轻打磨），直至铜箔面光洁如新。然后在铜箔面涂上一层松香水（松香碾成粉末溶解于酒精中，浓一些效果好），晾干即可。松香水...; bolibo123 PCB设计

晒晒参加论坛微信活动获得的蓝牙音箱: 前两天就有人收到开始晒了，搞得我也急不可耐:Laugh:音质挺不错，现在的小米什么都做，质量还可以，查了价格也挺便宜...; IC爬虫聊聊、笑笑、闹闹

使用ECLIPSE调试ARM裸机程序: [i=s] 本帖最后由微末凡尘于 2015-5-20 23:11 编辑 [/i]本来准备写这个的，发现已经有人写过了。链接如下：[url=http://my.oschina.net/u/914989/blog/153333]http://my.oschina.net/u/914989/blog/153333[/url]...; 微末凡尘嵌入式系统

问个硬盘锁的问题: 最近在学习硬盘扇区读写技术,其中涉及到硬盘锁.我想问的是如何让本硬盘的系统可启动,而当其时情况时(如U盘启动)读不出硬盘数据(指正常有分区类的)如果在关机前重新锁硬盘,假如有突发情况(停电了),那这个硬盘就是解开状态了,如何避免这种情况呢?...; 莽原嵌入式系统

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多