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FTE256S8N-20M

产品描述EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小199KB,共6页
制造商Force Technologies Ltd
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FTE256S8N-20M概述

EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

FTE256S8N-20M规格参数

参数名称属性值
厂商名称Force Technologies Ltd
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间200 ns
数据轮询YES
JESD-30 代码R-CDIP-T32
长度41.91 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度10.16 mm
最大待机电流0.0012 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位NO
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
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