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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BZX55-C15
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BZX55-C15

产品描述Zener Diode, 14.7V V(Z), 5%, 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB，共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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BZX55-C15概述

Zener Diode, 14.7V V(Z), 5%, 0.5W,

BZX55-C15规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压15 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA

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BL
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
FEATURES
Silicon planar power zener diodes
The
zener
voltages are graded according to the
international E 24 standard. Standard
zener
voltage
tolerance is ±5%. Replace suffix "C" with "B" for ±2%,
other voltage tolerance and other
zener
voltage are
available upon request.
BZX55 --- SERIES
POWER DISSIPATION: 500 mW
DO-34(GLASS)
MECHANICAL DATA
Case:DO-35, Glass Case
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
method
208
Polarity: Cathode
band
Marking: Type
number
Approx. Weight: 0.013 grams.
DO-35(GLASS)
MAXIMUM RATINGS AND
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
Zener current (see
Table
"Characteristics")
Pow er dissipation @ T
amb
=25
Junction temperature
Storage temperature
range
VALUE
UNIT
P
tot
T
J
T
s
500
1)
175
-55---+175
mW
SYMBOL
Thermal resistance junction to ambient
Forw ard voltage at I
F
=100mA
MIN
TYP
MAX
300
1)
1.0
UNIT
/W
V
www.galaxycn.com
R
θ
JA
V
F
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
Document Number 0284002
BL
GALAXY ELECTRICAL
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