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FHZ11VB

产品描述Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, GLASS, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小316KB,共3页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHZ11VB概述

Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, GLASS, MINIMELF-2

FHZ11VB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码DO-213AA
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压11 V
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压8.5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
电压温度Coeff-Max7.7 mV/°C
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA

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广东肇庆风华新谷微电子有限公司
广东省肇庆市风华路
18
号风华电子工业城三号楼一楼
TEL:0758-2865088 2865091
FAX:0758-2849749
FHZ2V4~FHZ39V
Silicon Z-Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
-tolerance ± 5%
Applications
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Power dissipation
耗散功率
Z-current
稳压电流
Junction temperature
结温
Storage temperature range
储存温度
Test Conditions
R
thJA
<300K/W,
T
amb
=25°C
Type Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
-65...+175
Unit
mW
mA
°C
°C
Maximum Thermal Resistance
Parameter
Test Conditions
Symbol Value Unit
R
thJA
500
K/W
Junction ambient on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
Parameter
Forward voltage
Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit
I
F
=100mA
V
F
1.2
V
Type
V
Znom1)
Test
current
I
ZT
Maximum
zeber
Impedance
Z
ZT
Z
ZK
at
at I
ZT
I
ZK
=1mA
I
R
µA
50
10
Maximum
Reverse
Leakage
Current
Test-Voltage
Volts
1.0
1.0
Forward
Voltage
V
f
at
I
f
=100mA
V
1.2
1.2
Temperature
coefficient
V
FHZ2V4 2.28-2.56
FHZ2V7
2.5-2.9
mA
5
5
Ohm
85
85
Ohm
600
600
%/°C
-0.070
-0.070
Page 0 of 3
*2005
年第
2
版*
All Rights Reserved
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