EEPROM, 512X8, 450ns, Parallel, NMOS, PDIP24, DIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 450 ns |
| 其他特性 | DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 |
| 长度 | 32 mm |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 512X8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.22 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| BR2804A-450 | BR2804A-250 | BR2804A-350 | BR2804A-300 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 512X8, 450ns, Parallel, NMOS, PDIP24, DIP-24 | EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, NMOS, PDIP24, DIP-24 | EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, NMOS, PDIP24, DIP-24 | EEPROM, 512X8, 300ns, Parallel, NMOS, PDIP24, DIP-24 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, | DIP, | DIP, | DIP, |
| 针数 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 450 ns | 250 ns | 350 ns | 300 ns |
| 其他特性 | DATA RETENTION = 10 YEARS | DATA RETENTION = 10 YEARS | DATA RETENTION = 10 YEARS | DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 |
| 长度 | 32 mm | 32 mm | 32 mm | 32 mm |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| 字数 | 512 words | 512 words | 512 words | 512 words |
| 字数代码 | 512 | 512 | 512 | 512 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 512X8 | 512X8 | 512X8 | 512X8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.22 mm | 4.22 mm | 4.22 mm | 4.22 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
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