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GBL10C2

产品描述Bridge Rectifier Diode, 4A, 1000V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小192KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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GBL10C2概述

Bridge Rectifier Diode, 4A, 1000V V(RRM),

GBL10C2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压1000 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSIP-T4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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