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CBR4-L020LEADFREE

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共1页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CBR4-L020LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 200V V(RRM), Silicon,

CBR4-L020LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PSIP-W4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10

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Bridge Rectifiers, General Purpose
(Continued)
IO (AMPS)
@TA ( C)
@TC ( C)
IFSM (AMPS)
60
o
o
2.0
55
55
3.0
2.0 @ 25
3.0 @ 50
55
50
200
50
4.0
4.0 @ 25
8.0 @ 100
300
100
150
CASE
VRRM (VOLTS)
100
200
400
600
800
1000
CASE B-M
CASE C
CASE D
CASE DM
CASE DMM
CBR2-L010M
CBR2-L020M
CBR2-L040M
CBR2-L060M
CBR2-L080M
CBR2-L100M
3N254-M CBR3-P010 CBR4-L010
3N255-M CBR3-P020 CBR4-L020
3N256-M CBR3-P040 CBR4-L040
3N257-M CBR3-P060 CBR4-L060
3N258-M CBR3-P080 CBR4-L080
3N259-M CBR3-P100 CBR4-L100
CBR4M-L010
CBR4M-L020
CBR4M-L040
CBR4M-L060
CBR4M-L080
CBR4M-L100
CBR4M-L010M
CBR4M-L020M
CBR4M-L040M
CBR4M-L060M
CBR4M-L080M
CBR4M-L100M
VF MAX @ IF
IR MAX @ VRRM
1.1V @ 2.0A
1.1V@3.14A 1.1V @ 1.5A
1.1V @ 3.0A
1.1V @ 6.28A
1.0V @ 4.0A
10µA
10µA
10µA
10µA
10µA
5.0µA
(6-December 2004)
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