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1N4153E3

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N4153E3概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N4153E3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

1N4153E3相似产品对比

1N4153E3 PTR904-1220K-C3104 PTR904-1225F-C3104
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 Potentiometer, Carbon, 0.025W, 100000ohm, 20V, 10% +/-Tol, 3792, Potentiometer, Carbon, 0.025W, 100000ohm, 20V, 10% +/-Tol, 3792,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最高工作温度 200 °C 50 °C 50 °C
最低工作温度 -65 °C -10 °C -10 °C
封装形式 LONG FORM PCB Mount PCB Mount
是否Rohs认证 - 符合 符合
Objectid - 275192284 275192364
Country Of Origin - Mainland China Mainland China
YTEOL - 6.5 6.5
构造 - Square Square
封装高度 - 11.3 mm 11.3 mm
封装长度 - 9.5 mm 9.5 mm
封装宽度 - 23.3 mm 23.3 mm
额定功率耗散 (P) - 0.025 W 0.025 W
电阻 - 100000 Ω 100000 Ω
电阻器类型 - POTENTIOMETER POTENTIOMETER
旋转角 - 300 deg 300 deg
系列 - PTR90 PTR90
尺寸代码 - 3792 3792
技术 - CARBON CARBON
容差 - 10% 10%
工作电压 - 20 V 20 V
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