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MR1002

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小354KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MR1002概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41

MR1002规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

MR1002相似产品对比

MR1002 MR1005
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 600 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.25 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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