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1N6639E3

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6639E3概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N6639E3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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• 1N6639 thru 1N6641AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV,
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/609
• SWITCHING DIODES
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE
• METALLURGICALLY BONDED
1N6639
1N6640
1N6641
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 300 mA
Derating: 3 mA/°C Above T
L
= +75°C@ = L =
3
/
8
Surge Current: I
FSM
= 2.5A, Pw = 8.3ms
0.056/0.075
1.42/1.91
POLARITY
BAND
(CATHODE)
0.140/0.180
3.55/4.57
1.00
25.4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
V BRR
@ 10 µA
V RWM
I R1
@ TA = +25°C
VR =
V RWM
nA dc
I R2
@ TA = +150°C
VR =
V RWM
µA dc
T FR
IF
= 200 mA
T RR
CT
VR=0
0.018/0.022
0.46/0.56
TYPES
FIGURE 1
ns
ns
pF
V(PK)
MIN
1N6639
1N6640
1N6641
100
75
75
V(PK)
75
50
50
100
100
100
100
100
100
10
10
10
4.0
4.0
5.0
2.5
2.5
3.0
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed, “D” Body
per MIL-PRF- 19500/609. D-5D
FORWARD VOLTAGE:
VF
TYPES
MIN
1N6639
0.54
1N6640
0.76
0.82
0.87
1N6641
V dC
MAX
1.20
0.62
0.86
0.92
1.00
1.10
@
IF
mA
(PULSED)
500
1
50
100
200
200
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJL): 160
°C/W maximum at L = .375
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
°C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
Any
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (781) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
77

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描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
包装说明 O-LALF-W2 SIMILAR TO DO-35, 2 PIN SIMILAR TO DO-35, 2 PIN SIMILAR TO DO-35, 2 PIN SIMILAR TO DO-35, 2 PIN SIMILAR TO DO-35, 2 PIN SIMILAR TO DO-35, 2 PIN SIMILAR TO DO-35, 2 PIN HERMETIC SEALED PACKAGE-2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown unknown compliant unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最大输出电流 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A
封装主体材料 GLASS UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.005 µs 0.004 µs 0.005 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.005 µs 0.005 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi - Microsemi Microsemi
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 - - - DO-35 DO-35
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - -
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - -
零件包装代码 - DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 - -
针数 - 2 2 2 2 2 2 2 - -
其他特性 - METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED - -
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 - -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
认证状态 - Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified - -
参考标准 - MIL-19500/609D MIL-19500/609D MIL-19500/609D MIL-19500/609D MIL-19500/609D MIL-19500/609D MIL-19500/609D - -
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
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