MRF1090MB: 产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 0.280 INCH, PILL, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小13KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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MRF1090MB概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 0.280 INCH, PILL, 4 PIN

MRF1090MB规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	6 A
基于收集器的最大容量	40 pF
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	290 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

MRF1090MB文档预览

MRF1090MB

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

ASI MRF1090MB

is Designed

for

High Peak power & low duty cycle,

IFF, DME, and TACAN Applications.

PACKAGE STYLE .280 4L PILL (A)

.100x45°

FEATURES:

•

Internal Input Matching Network

•

= 8.4 dB at 90 W/1150 MHz

•

Omnigold™

Metalization System

ØG

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

1.0 A

PEAK

55 V

292 W @ 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.6 °C/W

DIM

.275 / 6.99

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

.105 / 2.67

.205 / 5.21

.095 / 2.41

.195 / 4.95

1.000 / 25.40

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.007 / 0.18

.065 / 1.65

.145 / 3.68

.285 / 7.21

CHARACTERISTICS

SYMBOL

CBO

CER

EBO

CES

= 10 mA

= 25 mA

= 1.0 mA

= 50 V

= 5.0 V

= 50 V

= 13 W

= 25 °C

NONETEST

CONDITIONS

= 10

Ω

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

3.5

100

UNITS

---

= 1.0 A

f = 1.0 MHz

OUT

= 90 W

f = 1025 - 1150 MHz

200

8.4

Pulse with = 10 µS, Duty Cycle = 1.0 %

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1200

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

1/1

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