Transistor,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| SI6463DQ | SI6463DQ-E3 | |
|---|---|---|
| 描述 | Transistor, | Transistor |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.5 A | 6.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W | 1.5 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
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