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SI6426DQ-E3

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI6426DQ-E3概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

SI6426DQ-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

SI6426DQ-E3相似产品对比

SI6426DQ-E3 SI6426DQ
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.4 A 5.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 1.5 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
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