MJD148
Preferred Device
NPN Silicon Power
Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
http://onsemi.com
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
•
•
•
•
(No Suffix)
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel
(“T4” Suffix)
High Gain — 50 Min @ I
C
= 2.0 Amps
Low Saturation Voltage — 0.5 V @ I
C
= 2.0 Amps
High Current Gain–Bandwidth Product — f
T
= 3.0 MHz Min @
I
C
= 250 mAdc
2 AMPERES
1000 VOLTS
50 WATTS
POWER TRANSISTOR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
I
B
Value
45
45
5
4
7
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Peak
Base Current
50
mAdc
Watts
W/°C
Watts
W/°C
°C
Total Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Total Power Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
P
D
P
D
20
0.16
1.75
0.014
T
J
, T
stg
–55 to +150
MARKING
DIAGRAMS
YWW
MJD
148
DPAK
CASE 369A
STYLE 1
Y
= Year
WW
= Work Week
MJD18002 = Device Code
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
qJC
R
qJA
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
6.25
71.4
°C/W
°C/W
ORDERING INFORMATION
Device
MJD148–2
Package
DPAK
Shipping
3000/Tape & Reel
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes
recommended.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
May, 2002 – Rev. 1
Publication Order Number:
MJD148/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms,
Duty Cycle
v
2%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
Current–Gain–Bandwidth Product
Base–Emitter On Voltage (Note 2)
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 2)
DC Current Gain (Note 2)
Emitter Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
Characteristic
I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5 Vdc
I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 2 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 3 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 250 mAdc, V
CE
= 1 Vdc, f = 1 MHz
I
C
= 2 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.2 Adc
V
BE
= 5 Vdc, I
C
= 0
V
CB
= 45 Vdc, I
E
= 0
I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0
http://onsemi.com
Test Conditions
MJD148
2
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(on)
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
Min
40
85
50
30
45
3
–
–
–
–
Max
–
375
–
–
1.1
0.5
20
–
1
–
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
–
MJD148
TYPICAL CHARACTERISTICS
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
10
T
J
= 150°C
5
3
2
1
= 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004
0.007 0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.5
1
2
3
4
–55°C
V
CE
= 2 V
V
CE
= 10 V
Figure 1. DC Current Gain
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2
T
J
= 25°C
1.6
1.2
I
C
= 10 mA
100 mA
1A
3A
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
I
B
, BASE CURRENT (mA)
20
30
50 70 100
200 300 500
Figure 2. Collector Saturation Region
http://onsemi.com
3
MJD148
θ
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/
°
C)
2
T
J
= 25°C
1.6
VOLTAGE (VOLTS)
+2.5
+2
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/2
*T
J
= –65°C to +150°C
+1.5
+1
1.2
+0.5
0
*q
V
for V
CE(sat)
0.8
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2 V
–0.5
–1
q
V
for V
BE
0.4
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
0
1
0.005 0.01 0.020.030.05 0.1 0.20.3 0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
34
–1.5
–2
–2.5
0.005 0.01 0.020.030.05 0.1 0.20.3 0.5
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
3 4
Figure 3. “On” Voltages
Figure 4. Temperature Coefficients
10
3
IC, COLLECTOR CURRENT m A)
(
V
CE
= 30 V
10
2
10
1
10
0
10
–1
10
–2
T
J
= 150°C
100°C
REVERSE
FORWARD
25°C
I
CES
0
+0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6
10
–3
–0.4 –0.3 –0.2 –0.1
V
BE
, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Collector Cut–Off Region
r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
,
1
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
(pk)
Z
qJC(t)
= r(t) R
qJC
R
qJC
= 6.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
t
1
READ TIME AT t
1
t
2
T
J(pk)
– T
C
= P
(pk)
Z
qJC
(t)
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
t, TIME (ms)
10
20
50
100
200
500
1k
Figure 6. Thermal Response
http://onsemi.com
4
MJD148
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
500
ms
dc
5 ms
1 ms
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
INFORMATION
0.05
0.03
0.02
0.01
1
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
T
C
= 25°C SINGLE PULSE, D
≤
0.1%
T
J
= 150°C
20 30
50 70
2
3
5 7 10
V
CE
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
– V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 7 is based on T
J(pk)
= 150°C; T
C
is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T
J(pk)
v
150°C. T
J(pk)
may be calculated from the data in
Figure 6. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
Figure 7. Maximum Rated Forward Bias
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
