Laser Diode, 825nm
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
最大正向电压 | 2.5 V |
JESD-609代码 | e0 |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 60 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
光电设备类型 | LASER DIODE |
标称输出功率 | 30 mW |
峰值波长 | 825 nm |
半导体材料 | AlGaAs |
形状 | ROUND |
尺寸 | 3 mm |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
最大阈值电流 | 70 mA |
ML5415R | ML5415C | |
---|---|---|
描述 | Laser Diode, 825nm | Laser Diode, 825nm |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
最大正向电压 | 2.5 V | 2.5 V |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 60 °C | 60 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
光电设备类型 | LASER DIODE | LASER DIODE |
标称输出功率 | 30 mW | 30 mW |
峰值波长 | 825 nm | 825 nm |
半导体材料 | AlGaAs | AlGaAs |
形状 | ROUND | ROUND |
尺寸 | 3 mm | 3 mm |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
最大阈值电流 | 70 mA | 70 mA |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved