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ML5415R

产品描述Laser Diode, 825nm
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小206KB,共7页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

ML5415R概述

Laser Diode, 825nm

ML5415R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电压2.5 V
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度60 °C
最低工作温度-40 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率30 mW
峰值波长825 nm
半导体材料AlGaAs
形状ROUND
尺寸3 mm
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流70 mA

ML5415R相似产品对比

ML5415R ML5415C
描述 Laser Diode, 825nm Laser Diode, 825nm
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
配置 SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电压 2.5 V 2.5 V
JESD-609代码 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 1 1
最高工作温度 60 °C 60 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE
标称输出功率 30 mW 30 mW
峰值波长 825 nm 825 nm
半导体材料 AlGaAs AlGaAs
形状 ROUND ROUND
尺寸 3 mm 3 mm
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流 70 mA 70 mA

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