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TC55B464P-12

产品描述IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM
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文件大小144KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC55B464P-12概述

IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM

TC55B464P-12规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.3
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T24
JESD-609代码e0
长度29.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量24
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.45 mm
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

TC55B464P-12相似产品对比

TC55B464P-12 TC55B464J-12 TC55B464J-10 TC55B464P-10
描述 IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIP SOJ SOJ DIP
包装说明 DIP, DIP24,.3 SOJ, SOJ24,.34 SOJ, SOJ24,.34 DIP, DIP24,.3
针数 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 12 ns 12 ns 10 ns 10 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 29.8 mm 15.88 mm 15.88 mm 29.8 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ DIP
封装等效代码 DIP24,.3 SOJ24,.34 SOJ24,.34 DIP24,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.45 mm 3.7 mm 3.7 mm 4.45 mm
最大压摆率 0.14 mA 0.14 mA 0.14 mA 0.14 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.62 mm
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