IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 12 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 29.8 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.45 mm |
最大压摆率 | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
TC55B464P-12 | TC55B464J-12 | TC55B464J-10 | TC55B464P-10 | |
---|---|---|---|---|
描述 | IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM | IC 64K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24, Static RAM | IC 64K X 4 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24, Static RAM | IC 64K X 4 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | DIP | SOJ | SOJ | DIP |
包装说明 | DIP, DIP24,.3 | SOJ, SOJ24,.34 | SOJ, SOJ24,.34 | DIP, DIP24,.3 |
针数 | 24 | 24 | 24 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 12 ns | 12 ns | 10 ns | 10 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 | R-PDSO-J24 | R-PDSO-J24 | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 29.8 mm | 15.88 mm | 15.88 mm | 29.8 mm |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOJ | SOJ | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.3 | SOJ24,.34 | SOJ24,.34 | DIP24,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 | 240 | 240 |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.45 mm | 3.7 mm | 3.7 mm | 4.45 mm |
最大压摆率 | 0.14 mA | 0.14 mA | 0.14 mA | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm | 7.7 mm | 7.7 mm | 7.62 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved