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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBRTA80040RL
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MBRTA80040RL

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 400A, 40V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小799KB，共2页
制造商Daco Semiconductor Co Ltd
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MBRTA80040RL概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 400A, 40V V(RRM), Silicon,

MBRTA80040RL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Daco Semiconductor Co Ltd
包装说明R-XUFM-X3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JESD-30 代码R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流6000 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流400 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流5000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

MBRTA80040RL文档预览

DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Features
High Surge Capability
MBRTA80040(R)L
800 Amp Rectifier
40Volts
HEAVY THREE TOWER
LOW VF SCHOTTKY DIODE MODULE TYPE 800A
Isolation Type Package
Electrically Isolation base plate
J
K
M
Maximum Ratings
Part Number
MBRTA80040(R)L
Operating Temperature: -40 C to +100
Storage Temperature: -40 C to +150
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
40V
B
Maximum DC
Blocking
Voltage
40V
Maximum
RMS Voltage
28V
A
G
NAME PLATE
LUG
Teminal
Anode 1
LUG
LUG
Teminal Teminal
Catode 2 Anode 3
LUG
LUG
Teminal
Teminal
Cathode 1 Anode 2
LUG
Teminal
Cathode 3
Common Cathode
R=Common Anode
Electrical Characteristics
@
25
Average Forward
Current
(Per pkg)
Peak Forward Surge
Current
(Per leg)
Unless Otherwise Specified
800A
6000A
0.60V
I
F(AV)
I
FSM
V
F
TC =100
DIMENSIONS
Inches
DIM
A
Min
3.150
.872
.465
1.337
.230
.725
3.668
----
Max
NOM
.892
.479
1.356
.234
REF
3.768
.791
Min
80.01
22.15
11.82
33.95
5.84
18.42
93.17
---
1/4 -20 UNC FULL
.509
.238
.538
.258
12.92
6.05
13.68
6.55
8.3ms , half sine
IFM
=400 A; T
J
=25
Millimeters
Max
NOM
22.65
12.18
34.45
6.16
REF
95.71
20.10
Maximum
Instantaneous
(Per leg)
Forward Voltage
Maximum
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
(Per leg)
B
C
D
5mA
I
R
500mA
TJ = 25
TJ = 100
E
F
G
H
J
R jc
0.25
/W
K
M
NOTE :
(1)
Pulse Test: Pulse Width 300
μsec.
Duty Cycle
<
2%
-1-
www.dacosemi.com.tw
E
F
H
C
D
DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.
MBRTA80040(R)L
Figure .1-Typical Forward Characteristics
1000
400
Average Forward Rectifer Current - Ampere
360
400
320
240
160
80
Figure .2- Forward Derating Curve
600
Instantaneous Forward Current
- Ampere
Per leg
Amp
200
60
40
20
10
6.0
4.0
2.0
1.0
T =25
J
Amp
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
0
25
50
75
100
125
150
0
100
P er le g
Case Temperature -
.4
.436
.472
.508
Volts
.544
.58
.616
Figure .4-Typical Reverse Characteristics
2000
1000
600
400
200
T j =100 C
Instantaneous Forward Voltage - Volts
6000
Peak Forward Surge Current -Ampere
Amp
Per leg
5000
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method T
J
=25
Instantaneous Reverse
Leakage
Current -
mA
Fi gure .3- P eak Forward Surge Current
100
60
40
20
10
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
0
10 20
30
40
50
60
60
4000
3000
2000
1000
0
1
mA
2
4
6
8 10 20
Cyc les
40
60 80 100
T
J
=25
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
80
90
100
Volts
Reverse Voltage - Volts(%)
www.dacosemi.com.tw
-2-
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MBRTA80040RL相似产品对比

MBRTA80040RL MBRTA80040L
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 400A, 40V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 400A, 40V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Daco Semiconductor Co Ltd Daco Semiconductor Co Ltd
包装说明 R-XUFM-X3 R-XUFM-X3
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.6 V 0.6 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X3 R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流 6000 A 6000 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 100 °C 100 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 400 A 400 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
最大反向电流 5000 µA 5000 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER

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