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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> T-IXTD01N100
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T-IXTD01N100

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1000V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB，共1页
制造商IXYS
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T-IXTD01N100概述

Power Field-Effect Transistor, 1000V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

T-IXTD01N100规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏源导通电阻80 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

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