Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SI4420DYD84Z

SI4420DYD84Z: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小282KB，共3页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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SI4420DYD84Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

SI4420DYD84Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	12.5 A
最大漏源导通电阻	0.009 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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Si4420DY

January 2000

Si4420DY*

Single N-Channel Logic Level PowerTrench

MOSFET

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

This device is well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

Features

12.5 A, 30 V. R

DS(ON)

= 0.009

@ V

= 10 V

DS(ON)

= 0.013

@ V

= 4.5 V

Low gate charge.

Fast switching speed.

High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

High power and current handling capability.

Applications

Battery switch

Load switch

Motor controls

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ã1999

Fairchild Semiconductor Corporation

Si4420DY Rev. B

SI4420DYD84Z相似产品对比

	SI4420DYD84Z	SI4420DYL86Z	SI4420DYS62Z	SI4420DYL99Z
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
零件包装代码	SOT	SOT	SOT	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	12.5 A	12.5 A	12.5 A	12.5 A
最大漏源导通电阻	0.009 Ω	0.009 Ω	0.009 Ω	0.009 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Fairchild	-	Fairchild	Fairchild

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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