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ULBM2T

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ULBM2T概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39,

ULBM2T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.75 A
基于收集器的最大容量10 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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