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ULBM25

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ULBM25概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-6

ULBM25规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)4.8 A
基于收集器的最大容量80 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CXFM-F6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)70 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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