2014-01-15
High Power Infrared Emitter (940 nm)
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2
SFH 4247
Features:
• High Power Infrared LED
• Short switching times
• Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
• Kurze Schaltzeiten
Besondere Merkmale:
Applications
• Infrared Illumination for cameras
• IR data transmission
• Sensor technology
• Infrarotbeleuchtung für Kameras
• IR Datenübertragung
• Sensorik
Anwendungen
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4247
Note:
Anm.:
Ordering Code
Bestellnummer
10 (≥ 4)
Q65110A8091
Measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
2014-01-15
1
Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤
100
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
ESD withstand voltage
ESD Festigkeit
(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)
Thermal resistance junction - ambient
1)
page 11
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1)
Seite 11
SFH 4247
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 100
5
70
0.7
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
V
ESD
140
2
mW
kV
R
thJA
500
K/W
2)
page 11
Thermal resistance junction - soldering point
R
thJS
280
K/W
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle
2)
Seite 11
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 70 mA, t
p
= 10 ms)
(typ)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
950
Unit
Einheit
nm
(typ)
λ
centroid
940
nm
(typ)
Δλ
42
nm
2014-01-15
2
Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2
Parameter
Bezeichnung
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 70 mA, R
L
= 50
Ω)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 500 mA, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 70 mA, t
p
= 10 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 70 mA, t
p
= 10 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 70 mA, t
p
= 10 ms)
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
Symbol
Symbol
ϕ
A
LxW
t
r
, t
f
Values
Werte
± 65
0.04
0.2 x 0.2
12
SFH 4247
Unit
Einheit
°
mm
2
mm x
mm
ns
(typ (max)) V
F
1.6 (≤ 2)
V
(typ (max)) V
F
2.4 (≤ 3.2)
V
(typ (max)) I
R
not designed for µA
reverse operation
35
mW
(typ)
Φ
e
(typ)
TC
I
-0.5
%/K
(typ)
TC
V
-1.3
mV / K
(typ)
TC
λ
0.3
nm / K
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3
Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 4247-P
SFH 4247-Q
SFH 4247-R
Note:
Anm.:
SFH 4247
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
8
12.5
20
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 500 mA, t
p
= 25 µs
I
e, typ
[mW / sr]
30
47
75
4
6.3
10
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
Relative Spectral Emission
3)
page 11
Relative spektrale Emission
3)
Seite 11
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
OHF04134
Radiant Intensity
3)
page 11
Strahlstärke
3)
Seite 11
10
1
I
e
/ I
e
(70 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs, T
A
= 25°C
OHF03827
I
rel
%
80
I
e
I
e
(70 mA)
10
0
60
5
40
10
-1
20
5
0
800
850
900
950
nm 1025
10
-2 0
10
5 10
1
5 10
2
mA 10
3
λ
I
F
2014-01-15
4
Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF = f (TA), RthJA = 500 K/W
80
mA
70
60
50
40
30
20
10
0
OHF03732
SFH 4247
Forward Current
3)
page 11
Durchlassstrom
3)
Seite 11
10
0
A
I
F
= f(V
F
), single pulse, t
p
= 100 µs, T
A
= 25°C
OHF03828
I
F
I
F
10
-1
5
10
-2
5
10
-3
5
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
10
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
T
A
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
I
F
= f(t
p
), T
A
= 25 °C, duty cycle D = parameter
0.7
A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
OHF03733
V
F
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
0.7
A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
OHF03824
I
F
= f (τ), T
A
= 85 °C, duty cycle D = parameter
t
P
I
F
T
I
F
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
I
F
D
=
T
P
t
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
t
p
2014-01-15
5
模拟电子
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