NPN-Silizium-Fototransistor in SMR
®
Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in SMR
®
Package
SFH 3500/FA
SFH 3505/FA
SFH 3500
SFH 3500FA
SFH 3505
SFH 3505FA
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1060 nm (SFH 3500/3505) und
bei 880 nm (SFH 3500 FA/3505 FA)
• SMR
®
(Surface Mount Radial) Gehäuse
• Hohe Empfindlichkeit
• Auf PCB aufsetzbar (SFH 3500/FA) oder in
PCB einlegbar (SFH 3505/FA)
• Passend zu IRED SFH 451x, SFH 458x
• Für Oberflächenmontage (SMT) geeignet
• Gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1060 nm (SFH 3500/3505) and of
880 nm (SFH 3500 FA/3505 FA)
• SMR
®
(Surface Mount Radial) package
• High sensitivity
• For mounting on pcb (SFH 3500/FA) or in pcb
(SFH 3505/FA)
• Matches IRED SFH 451x, SFH 458x
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
Applications
• A variety of manufacturing and monitoring
applications
• For control and drive circuits
• Photointerrupters
2001-04-27
1
SFH 3500/FA, SFH 3505/FA
Typ
Type
SFH 3500
SFH 3500-3/4
SFH 3500-5/6
SFH 3505
SFH 3505-3/4
SFH 3505-5/6
SFH 3500 FA
SFH 3500 FA-3/4
SFH 3500 FA-5/6
SFH 3505 FA
SFH 3505 FA-3/4
SFH 3505 FA-5/6
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5031
Q62702-P5205
Q62702-P5206
Q62702-P5050
Q62702-P5207
Q62702-P5208
Q62702-P5032
Q62702-P5201
Q62702-P5202
Q62702-P5051
Q62702-P5203
Q62702-P5204
Gehäuse
Package
5-mm-SMR
®
-Gehäuse (T 1
3
/
4
), klares
(SFH 3500/3505) und schwarz eingefärbtes
(SFH 3500 FA/3505 FA) Epoxy-Gießharz,
Anschlüsse (SFH 3500/3500 FA gebogen,
SFH 3505/3505 FA gerade) im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
’’), Kathodenkennzeichnung: siehe
Maßzeichnung.
5 mm SMR
®
package (T 1
3
/
4
), clear (SFH
3500/3505) and black-colored (SFH
3500 FA/3505 FA) epoxy resin, solder tabs (SFH
3500/3500 FA bent, SFH 3505/3505 FA straight)
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking: see
package outline.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 85
35
70
50
100
7
150
400
Einheit
Unit
°C
V
V
mA
mA
V
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
V
CE
(
t
< 2 min)
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
2001-04-27
2
SFH 3500/FA, SFH 3505/FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chip-Fläche
Dimension of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 5 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom,
V
CE
= 20
Dark current
Symbol
Symbol
SFH 350x
λ
S max
λ
830
450
…
1060
Wert
Value
SFH 350x FA
860
740
…
1070
nm
nm
Einheit
Unit
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.55
0.55
1.00
×
1.00
±
13
10
3 (< 200)
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
2001-04-27
3
SFH 3500/FA, SFH 3505/FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
-3
-4
Wert
Value
-5
-6
mA
2.5
…
5.0
4.0
…
8.0
6.3
…
12.5
10.0
…
20.0
Einheit
Unit
I
PCE
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V,
λ
= 950 nm
SFH 3500/05:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
R
L
= 1 kΩ,
V
CC
= 5 V,
λ
= 950 nm,
I
C
= 1 mA
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannug
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
13.5
14
21.5
17
34.0
20
51.0
24
µs
t
r
,
t
f
V
CEsat
150
(< 200)
150
(< 200)
150
(< 200)
150
(< 200)
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
2001-04-27
4
SFH 3500/FA, SFH 3505/FA
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
9
mA
Ι
PCE
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
0.25 mW/cm
2
20
0.4
0.2
OHF00385
Relative Spectral Sensitivity,
S
rel
=
f
(λ),
SFH 3500 FA/3505 FA
100
OHF02331
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE 25
1.4
1.2
1.0
0.8
1.0 mW/cm
2
Ι
PCE
1.6
OHF01524
S
rel
%
80
60
0.5 mW/cm
2
40
0.6
0.1 mW/cm
2
0
400
10
15
20
25
30 35
V
CE
600
800
1000 nm 1200
0
-25
0
25
50
λ
75 C 100
T
A
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
I
PCE
25
mA
20
OHF00521
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
I
PCE
10
2
mA
OHF00346
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Ι
CEO
10
2
nA
OHF00384
P
tot, max
1.0 mW/cm
2
P
tot
10
1
10
1
15
10
0
10
0.5 mW/cm
2
-3
-4
-5
-6
10
0
5
0.25 mW/cm
2
0.1 mW/cm
2
10
-1
10
-1
0
0
5
10
15
20
25
V
35
10
-2 -3
10
10
-2
10
-1
mW/cm
2
10
1
10
-2
0
5
10
15
20
25
V
CE
E
e
30 V 35
V
CE
Relative Spectral Sensitivity,
S
rel
=
f
(λ),
SFH 3500/3505
100
S
rel
%
80
OHF02332
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
160
mW
P
tot
140
120
OHF00958
Dark Current
I
CE0
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 20 V,
E
= 0
Ι
CEO
10
3
nA
OHF02342
10
2
70
60
50
40
30
100
80
60
40
10
1
10
0
20
10
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
20
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
2001-04-27
5
微控制器 MCU
京公网安备 11010802033920号
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