HB56SW832DZJ-7LS,HB56SW832DZJ-7LS pdf中文资料,HB56SW832DZJ-7LS引脚图,HB56SW832DZJ-7LS电路-Datasheet-电子工程世界

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HB56SW832DZJ-7LS: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小194KB，共22页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56SW832DZJ-7LS概述

EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72

HB56SW832DZJ-7LS规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM72
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N72
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0024 A
最大压摆率	0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

HB56SW832DZJ-7LS相似产品对比

	HB56SW832DZJ-7LS	HB56SW832DZJ-7	HB56SW832DZJ-6L	HB56SW832DZJ-6LS	HB56SW832DZJ-6	HB56SW832DZJ-7L
描述	EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72
针数	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	70 ns	60 ns	60 ns	60 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM72	DIMM72	DIMM72	DIMM72	DIMM72	DIMM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048	2048	2048
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	YES	NO	NO	YES	NO	NO
最大待机电流	0.0024 A	0.016 A	0.0024 A	0.0024 A	0.016 A	0.0024 A
最大压摆率	0.68 mA	0.68 mA	0.76 mA	0.76 mA	0.76 mA	0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

HB56SW832DZJ-7LS

HB56SW832DZJ-7LS概述

HB56SW832DZJ-7LS规格参数

HB56SW832DZJ-7LS相似产品对比

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