IC42S16100-6TIG,IC42S16100-6TIG pdf中文资料,IC42S16100-6TIG引脚图,IC42S16100-6TIG电路-Datasheet-电子工程世界

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IC42S16100-6TIG: 产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50; 产品类别存储存储; 文件大小763KB，共78页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IC42S16100-6TIG概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50

IC42S16100-6TIG规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	SOP, TSOP50,.46,32
Reach Compliance Code	compliant
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e3
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL

IC42S16100-6TIG相似产品对比

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描述	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32	SOP, TSOP50,.46,32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns	6 ns	6 ns	5.5 ns	4.5 ns	4.5 ns	4.5 ns	4.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	143 MHz	143 MHz	166 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e0	e0
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	50	50	50	50	50	50	50	50
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.145 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.145 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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