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IRF150ECPBF

产品描述38A, 100V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小3MB,共92页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF150ECPBF概述

38A, 100V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

IRF150ECPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)150 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)38 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)152 A
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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