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关于S3C2440与SDRAM、Nandflash、Norflash的连线分析，比较详细。 S3C2440 与SDRAM 的地址连线分析S3C2440 有27 根地址线ADDR ，8 根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7，当访问bankx 的地址空间，ngcsx 引脚为低电平，选中外设。 2^27=2^7 * 2^10 * 2^10 = 128Mbyte 8*128Mby...[详细]

　　 1 引言 　　I2C （Inter-Integrated Circuit1总线是一种由Philips公司开发的2线式串行总线，用于连接微控制器及其外围设备。它是同步通信的一种特殊形式，具有接口线少、控制方式简单、器件封装形式小、通信速率较高等优点。在主从通信中，可有多个I2C总线器件同时接到I2C总线上，通过地址来识别通信对象。笔者在开发基于MPC8250的嵌入式Linux系统的过程中...[详细]

#include DA1796.h #define SPI_ID (2) #define SPI2_CS (1 16) /* P0.16口为片选脚 */ #define CE2_Low() (LPC_GPIO0- FIOCLR |= SPI2_CS) /* 选中从器件 */ #def...[详细]

据日经中文网报道，韩国三星电子的关联企业三星电机将投资8.5亿美元在越南建立半导体封装的尖端基板量产线，计划将于2023年下半年开始量产，供应智能手机及个人电脑等使用的高性能基板。 据报道，越南政府已于2月17日批准了三星电机的投资计划。三星电机将量产名为“FCBGA”的高性能半导体封装基板，以提升三星电子的半导体性能。随着近年来半导体电路线宽的“微细化”越来越难，有必要通过改善封装基板技术来提...[详细]

操作系统：ubuntu10.04 汇编语言：arm STR指令的格式为： STR{条件} 源寄存器， 存储器地址 STR指令用亍从源寄存器中将一个32位的字数据传送到存储器中。该指令在程序设计中比较常 用，丏寻址方式灵活多样，使用方式可参考指令LDR。 指令示例： STR R0， ，＃8 ；将R0中的字数据写入以R1为地址的存储器中，并将新地址R1＋8写入R1。 STR R0， ...[详细]

    从申请专利到招募团队，苹果进军VR领域已经是是准备要曝光的事情了！不过苹果一直没有对旗下的VR设备透露太多，这也引发了外界的种种猜测，近日，苹果概念设计师Martin Hajek独家分享给德国杂志《Computer Bild》的一段视频曝光了苹果的VR设备！       苹果的VR设备在设计理念上很多地方与Apple Watch不谋而合，包括跟踪传感器和头带，蓝宝石玻璃覆盖的双摄像头，金...[详细]

0 引言 随着通讯工业的飞速发展，人们对各种无线通讯工具的要求也越来越高。功率辐射小、作用距离远、覆盖范围大已成为各运营商乃至无线通讯设备制造商的普遍追求，而这也同时对系统的接收灵敏度提出了更高的要求。 1 微波低噪声放大器的作用 一般情况下，一个接收系统的接收灵敏度可由以下计算公式来表示： 由上式可见，在各种特定(带宽B W 、解调S／N已定)的无线通讯系统中，能有效提高灵敏度的关键因素就是...[详细]

根据具体应用的不同，LED可能会采用不同的电源来供电，如交流线路、太阳能板、12 V汽车电池、直流电源或低压交流系统，甚至是基于碱和镍的电池或锂离子电池等。 　 　1）采用交流离线电源为LED供电 　　在采用交流离线电源为LED供电的应用中，涉及到众多不同的应用场合，如电子镇流器、荧光灯替代、交通信号灯、LED灯泡、街道和停车照明、建筑物照明、障碍灯和标志等。在这些从交流主电源驱动大功率LE...[详细]

       Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型肖特基整流器 --- MSS1P2U和MSS1P3U，在+85℃和+25℃时的前向压降分别只有0.35V和0.4V。器件采用小型MicroSMP功率封装，额定电压分别为20V(MSS1P2U)和30V(MSS1P3U)，输出电流为1A，Vishay此次推出的新型器件的高电流功率密度和低热阻有助于实现节省空间的...[详细]

1，串口 并口的区别 串行接口，简称串口，也就是COM接口，是采用串行通信协议的扩展接口。串口的出现是在1980年前后，数据传输率是115kbps～230kbps，串口一般用来连接鼠标和外置Modem以及老式摄像头和写字板等设备，目前部分新主板已开始取消该接口。 并行接口，简称并口，也就是LPT接口，是采用并行通信协议的扩展接口。并口的数据传输率比串口快8倍，标准并口的数据传输率为1Mbps，一般...[详细]

MCS－51具有强大的加、减、乘、除四则算术运算指令。 1．程序状态字PSW MCS－51有一个程序状态字寄存器PSW，用来保存指令执行结果的标志，供程序查讯和判别。PSW是特殊功能寄存器中的一个，其格式如下： PSW7－－既是布尔处理机的累加器C，又是进位标志CY，如果操作结果在最高位有进位输出（加法时）或借位输入（减法时），置位CY，否则清“0”CY。 AC－－辅助进位（半进位）标志。如果操...[详细]

轻便型机械手臂大啖产线自动化商机。轻便型机械手臂克服传统方案体积过于庞大、价格昂贵、噪音大及不易掌控等缺点，以低耗电、易改编程以及投资回报期极短等优点掳获中小企业芳心，大举进攻产线自动化市场。 　 　将工业自动化系统导入市场并不是一件简单的任务。日益紧迫的技术和商业需求所带来的压力，要求供应商提供更加精简、更符合成本效益的系统，以满足双倍 于前几代系统的性能需求。设计者如何提高处理速度、网络带...[详细]

逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。 ...[详细]

eeworld网报道：今天，元器件电商平台比比皆是，不仅有海外大型授权及目录分销商，本土的授权分销商、独立分销商、混合型分销商、甚至电子媒体也都在不遗余力地开发和经营元器件电商平台，电商平台化变成一个风向，但并不是每一家都能明确标定自己的核心价值和独特的立身优势。 “今天可以看见市场到处是电商平台，但早在20多年前Digi-Key就已经意识到了互联网的商业机会，并在那时建立了Digi-Key的网...[详细]

10 月 29 日消息，《韩国经济日报》表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。 报道表示三星第 10 代（即下代） V...[详细]