512X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8, 3 X 3 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TDFN-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | SON, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz |
| JESD-30 代码 | S-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 内存密度 | 8192 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512X16 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SON |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
