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TC514100APL-60

产品描述IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM
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文件大小569KB,共21页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC514100APL-60概述

IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM

TC514100APL-60规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度4.4 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

TC514100APL-60相似产品对比

TC514100APL-60 TC514100AJL-60 TC514100ASJL-60 TC514100AZL-60
描述 IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIP SOJ SOJ ZIP
包装说明 DIP, SOJ, SOJ, ZIP,
针数 18 20 20 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; BATTERY BACKUP REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 17.15 mm 17.15 mm 25.8 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 18 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ ZIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 4.4 mm 3.75 mm 3.75 mm 10.16 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 8.89 mm 7.7 mm -
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