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RM11BV1

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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RM11BV1概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,

RM11BV1规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANKEN
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

RM11BV1相似产品对比

RM11BV1 RM11BV
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
厂商名称 SANKEN SANKEN
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 1.2 A 1.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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