RG4C(Z),RG4C(Z) pdf中文资料,RG4C(Z)引脚图,RG4C(Z)电路-Datasheet-电子工程世界

RG4C(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小55KB，共2页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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RG4C(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,

	RG4C(Z)	RG4Y(Z)	RG4Z(Z)	RG4(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 70V V(RRM), Silicon, DO-27,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	3 V	1.3 V	1.7 V	1.8 V
JEDEC-95代码	DO-27	DO-27	DO-27	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	60 A	100 A	80 A	80 A
元件数量	1	1	1	1
相数	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	2 A	3.5 A	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V	70 V	200 V	400 V
最大反向电流	500 µA	1000 µA	1000 µA	500 µA
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
厂商名称	Galaxy Microelectronics	-	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics