Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
包装说明 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
应用 | EFFICIENCY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 3 V |
JEDEC-95代码 | DO-27 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 60 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
最大反向电流 | 500 µA |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
RG4C(Z) | RG4Y(Z) | RG4Z(Z) | RG4(Z) | |
---|---|---|---|---|
描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 70V V(RRM), Silicon, DO-27, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
应用 | EFFICIENCY | EFFICIENCY | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 3 V | 1.3 V | 1.7 V | 1.8 V |
JEDEC-95代码 | DO-27 | DO-27 | DO-27 | DO-27 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 60 A | 100 A | 80 A | 80 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 2 A | 3.5 A | 3 A | 3 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 70 V | 200 V | 400 V |
最大反向电流 | 500 µA | 1000 µA | 1000 µA | 500 µA |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs | 0.05 µs | 0.05 µs | 0.05 µs |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics | - | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics |
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