Wide Band Low Power Amplifier, 2000MHz Min, 6000MHz Max, GAAS,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | IXYS |
Reach Compliance Code | compliant |
构造 | MODULE |
增益 | 10.5 dB |
最大工作频率 | 6000 MHz |
最小工作频率 | 2000 MHz |
最高工作温度 | 105 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装等效代码 | FLNG,.4\"H.SPACE |
电源 | 8 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER |
最大压摆率 | 80 mA |
技术 | GAAS |
最大电压驻波比 | 1.8 |
MWT-0206S-7G2 | MWT-0206Z-7G2 | |
---|---|---|
描述 | Wide Band Low Power Amplifier, 2000MHz Min, 6000MHz Max, GAAS, | Wide Band Low Power Amplifier, 2000MHz Min, 6000MHz Max, GAAS, |
厂商名称 | IXYS | IXYS |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
构造 | MODULE | MODULE |
增益 | 10.5 dB | 10.5 dB |
最大工作频率 | 6000 MHz | 6000 MHz |
最小工作频率 | 2000 MHz | 2000 MHz |
最高工作温度 | 105 °C | 105 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
封装等效代码 | FLNG,.4\"H.SPACE | FLNG,.4\"H.SPACE |
电源 | 8 V | 8 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER | WIDE BAND LOW POWER |
最大压摆率 | 80 mA | 80 mA |
技术 | GAAS | GAAS |
最大电压驻波比 | 1.8 | 1.8 |
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