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1N5342B

产品描述6.8 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小270KB,共5页
制造商Tiger Electronic Co.,Ltd.
官网地址http://www.tgselec.com/
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1N5342B概述

6.8 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

6.8 V, 5 W, 硅, 单向电压稳压二极管

1N5342B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压6.8 V
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限5 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流175 mA
最大总参考电压5 %

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TIGER ELECTRONIC CO.,LTD
1N5333B-1N5388B
Zener Diode
POWER DISSIPATION: 5.0 W
Features
Silicon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
power rating.
Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add
suffix "B" for ±5% tolerance. other zener voltage
and tolerances are available upon request.
DO-15
Mechanical Data
Case:DO-15
Polarity: cathode Band
Marking: type number
Approx. weight:
0.40grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
DC pow er dissipation @ T
L
=75, measure at zero lead length (Fig.1)
derate above 75 (NOTE 1)
Peak forw ard surge current 8.3ms single half sine-w ave superimposed on rated
load (JEDEC Method)(NOTE 1,2)
Junction temperature
VALUE
UNIT
P
D
I
FSM
T
J
T
s
5.0
40.0
see fig.5
-55---+150
-55---+150
W
mW
A
Storage temperature range
NOTES:
(1) Mounted on 8.0mm
2
copper pads to each terminal.
(2) 8.3ms single half sine-wav e, or equiv alent square wav e, duty cy cle=4 pulses per minute maximum.
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